為什麼選擇氧化鎵？

氧化鎵 (Ga₂O₃) 是一種先進材料，具有高壓應用潛力（可達 10 kV），並能承受高溫和高輻射環境。其特性可提高電力電子裝置和太陽能電池的能源效率，減少浪費。透過採用氧化鎵，我們可以大幅降低對環境的影響，並協助建立更綠色的未來。

優勢一

超寬頻隙

氧化鎵的帶隙約為 4.8 eV，可使功率元件具有更高的擊穿電壓和更低的能量損耗，使其成為下一代電力電子產品的理想材料。

想像一下，只需 10 分鐘即可為您的電動車充滿電！

優勢二

氧化鎵可以從熔體中生長出來，與 SiC 和 GaN 相比，更容易生長出更大尺寸（6 英吋以上）的薄膜，且生產成本更低。

預計到 2027-2028 年，6 吋磊晶片的價格將低於 1000 歐元。

Zbigniew Galazka. J. Appl. Physics, 131, 031103 (2022)

優勢三

Ga₂O₃及其電子元件在高溫運轉和高輻射環境下具有耐久性。